【结论展望】综上所述,领域作者开发了一种共电沉积策略,在NiCo2O4NSs上制备与VO偶联的Ir−SACs(Ir-NiCo2O4NSs),在酸性介质中表现出增强的OER性能。市场(g)不同温度下用于OER的Ir-NiCo2O4-NSs的LSV曲线。【成果简介】近日,大增兰州大学席聘贤教授与香港理工大学黄勃龙副教授联合报道了一种通过共电沉积方法在超薄NiCo2O4多孔纳米片上制备铱单原子(Ir-SAs)的新方法(Ir-NiCo2O4NSs)。
魅力Ir和Co中心之间的这种协同相互激活对于缓解传统NiCo2O4催化体系中普通Co位的过氧化或价态不稳定性起着关键作用。应用显黄勃龙教授长期在固体功能材料电子缺陷态的研究理论和计算技术领域取得了突出的研究成果。
服务NiCo2O4表面VO位附近锚定的原子Ir。
领域(d)IrO2和Ir-NiCo2O4NSs的XANES表征。市场曾任韩国浦项工科大学和首尔国立大学研究副教授。
大增文章报道了一种基于高质量单晶钙钛矿薄片的人工突触电子器件。曾入选国家海外高层次人才青年项目,魅力天津市海河英才计划领军人才,南开大学百名青年学科带头人,并获得天津市杰出青年科学基金资助。
然而,应用显目前提出的钙钛矿人工突触电子器件大多是基于多晶钙钛矿材料。服务(c)基于单晶钙钛矿薄片和多晶钙钛矿薄膜的人工突触器件的能耗水平对比。